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IRLMS2002TRPBF中文资料

IRLMS2002TRPBF图片

IRLMS2002TRPBF外观图

  • 大小:95.3KB
  • 厂家:International Rectifier
  • 描述: N CHANNEL MOSFET, 20V, 6.5A, MICRO6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.5A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):30mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.2V ;RoHS Compliant: Yes
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:6.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:30 毫欧 @ 6.5A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:22nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1310pF @ 15V
  • 功率 - 最大:2W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-LSOP(0.063",1.60mm 宽)
  • 供应商设备封装:Micro6?(TSOP-6)
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:IRLMS2002PBFTR

IRLMS2002TRPBF供应商

更新时间:2023-01-28 05:39:44
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